LP3588CSF 是芯茂微推出的一款高性能同步整流控制芯片,專為反激式開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì),適用于充電器、適配器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)輔助電源等場(chǎng)合。其核心賣點(diǎn)是:
支持 DCM / CCM / QR 全模式工作
內(nèi)置 85V / 25A 功率 MOSFET(Rdson 僅 12~16 mΩ)
專利 dV/dt 檢測(cè)技術(shù),抗激磁振蕩誤觸發(fā)
無(wú)需輔助繞組,自供電 VCC
30 ns 級(jí)關(guān)斷延遲,CCM 效率依然高
SOP-8L 封裝,極簡(jiǎn)外圍,BOM 成本低
技術(shù)規(guī)格一覽(25℃ 典型值)
| 項(xiàng)目 | 數(shù)值 | 單位 | 備注 |
|---|
| VD 引腳耐壓 | 200 | V | 直接接次級(jí)整流節(jié)點(diǎn) |
| MOSFET 擊穿電壓 | 85 | V | 內(nèi)置同步管 |
| Rdson | 14 | mΩ | VGS=6.5 V,IDS=0.1 A |
| 關(guān)斷延遲 Td | 30 | ns | CCM 效率損失極低 |
| VCC 工作范圍 | 5.6 ~ 6.6 | V | 自供電,無(wú)需繞組 |
| VCC 啟動(dòng)電壓 | 4.5 | V | 僅 150 μA 啟動(dòng)電流 |
| 關(guān)斷閾值 VOFF | -5 | mV | 負(fù)電壓翻轉(zhuǎn)關(guān)斷 |
| 開(kāi)通閾值 VON | -200 | mV | 負(fù)斜率+dV/dt 雙重判定 |
| 最小關(guān)斷時(shí)間 TSR | 1.0 | μs | 防止誤觸發(fā) |
| 結(jié)溫范圍 | -40 ~ 150 | ℃ | 內(nèi)置 OTP |
管腳封裝與功能
SOP-8L 封裝,4 個(gè)有效功率腳 + 4 個(gè)小信號(hào)腳

| 腳位 | 名稱 | 功能描述 |
|---|
| 1,2,3 | GND | 芯片地,同步 MOSFET 源極 |
| 4 | VD | 電壓檢測(cè) + 自供電輸入,接次級(jí)繞組 |
| 5 | VCC | 內(nèi)部 LDO 輸出,外接 1 μF 陶瓷電容 |
| 6,7,8 | D | 同步 MOSFET 漏極,接輸出正 |
芯片底部中央有裸露焊盤,建議打 9 個(gè) 0.3 mm 過(guò)孔到 GND,提高散熱。
內(nèi)部框架圖解讀

VD 高壓接口:200 V 耐壓比較器,采樣 Vds 下降斜率;
dV/dt 運(yùn)算單元:專利電路,實(shí)時(shí)計(jì)算 VD 斜率 K,K>Kmin 且 VDS<-0.2 V 時(shí)給出 SR_ON;
關(guān)斷比較器:當(dāng) VDS > -5 mV 且 Ton > Tb(0.9~1.5 μs)后給出 SR_OFF;
自供電 LDO:VD 腳經(jīng)內(nèi)部 20 mA 高壓 LDO 給 VCC 電容充電,啟動(dòng)后由 MOSFET 溝道電流維持;
驅(qū)動(dòng)級(jí):推挽結(jié)構(gòu),柵極充電 1 A / 放電 2 A,典型 13 nC 開(kāi)關(guān)電荷;
保護(hù)模塊:VCC UVLO、過(guò)壓鉗位 6.5 V、過(guò)溫關(guān)斷 150 ℃。
工作原理:讓“二極管”消失
傳統(tǒng)反激次級(jí)用肖特基,VF ≈ 0.4 V @ 5 A,損耗 2 W;
LP3588CSF 用 MOSFET 替代,Rdson = 14 mΩ,同樣 5 A 僅 0.35 W,效率提升 3~5 個(gè)百分點(diǎn)。
關(guān)鍵時(shí)序
t0:原邊關(guān)斷,次級(jí)電流 Is 正向流動(dòng),VDS 負(fù)向跌落;
t1:dV/dt > Kmin 且 VDS < -0.2 V → SR_ON,MOSFET 導(dǎo)通;
t2:Is 降至 0,VDS 開(kāi)始回彈 > -5 mV → SR_OFF,MOSFET 關(guān)斷;
t3:進(jìn)入死區(qū),靠體二極管續(xù)流 < 30 ns,反向恢復(fù)損耗極低。
即使在 CCM 下,30 ns 關(guān)斷延遲也把“反向電流”壓制到最小,避免傳統(tǒng)同步整流“倒灌”問(wèn)題。
典型應(yīng)用電路(12 V/3 A 適配器)

無(wú) RC 吸收,LP3588CSF 自身抗振;
無(wú)輔助繞組,節(jié)省 8 個(gè)元件;
效率 88.4 % @ 115 Vac,85.9 % @ 230 Vac,滿足 CoC V5 Tier 2。
PCB 布線黃金 4 條
功率回路最短:D 腳 → 輸出電容 → 變壓器次級(jí) → GND,圍成的面積 < 1 cm2;
VD 走線寬 1 mm 以上,遠(yuǎn)離原邊開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn),防止 dV/dt 耦合誤觸發(fā);
VCC 電容接地腳與 GND 腳相鄰 < 2 mm,降低 ESR 噪聲;
底部散熱焊盤打 9 孔到 GND 內(nèi)層,過(guò)孔直徑 0.3 mm,保證 25 ℃/W 熱阻。
實(shí)測(cè)波形與效率曲線

常見(jiàn)疑問(wèn)速答
Q1. 能直接替換肖特基嗎?→ 引腳兼容,但需把原 RC 吸收去掉,LP3588CSF 自帶抗振。
Q2. 輕載會(huì)“打嗝”嗎?→ 芯片不干預(yù)原邊,DCM 下自動(dòng)進(jìn)入“零電流”等待,無(wú)異常振蕩。
Q3. 85 V MOSFET 夠嗎?
→ 12 V 輸出時(shí),漏感尖峰 < 60 V,余量 25 V,實(shí)測(cè) 50 萬(wàn)次 264 Vac 浪涌無(wú)損壞。
深圳三佛科技做為芯茂微一級(jí)代理,提供技術(shù)支持,批量?jī)r(jià)格有優(yōu)勢(shì)~
結(jié)語(yǔ)
LP3588CSF 用“一顆芯片 + 1 顆電容”就把次級(jí)整流損耗砍掉 70 %,而且免輔助繞組、免 RC 吸收、免調(diào)試。對(duì)于 15 W~45 W 的 PD 適配器、電機(jī)輔助電源、快充充電器來(lái)說(shuō),它是性價(jià)比最高的同步整流“小鋼炮”。