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LP3588CSF是什么芯片?LP3588CSF(技術(shù)規(guī)格及電路原理圖介紹)
類別:產(chǎn)品新聞 發(fā)布時(shí)間:2025-10-24 11:12:22 瀏覽人數(shù):15386

LP3588CSF 是芯茂微推出的一款高性能同步整流控制芯片,專為反激式開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì),適用于充電器、適配器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)輔助電源等場(chǎng)合。其核心賣點(diǎn)是:

  • 支持 DCM / CCM / QR 全模式工作
  • 內(nèi)置 85V / 25A 功率 MOSFET(Rdson 僅 12~16 mΩ)
  • 專利 dV/dt 檢測(cè)技術(shù),抗激磁振蕩誤觸發(fā)
  • 無(wú)需輔助繞組,自供電 VCC
  • 30 ns 級(jí)關(guān)斷延遲,CCM 效率依然高
  • SOP-8L 封裝,極簡(jiǎn)外圍,BOM 成本低


技術(shù)規(guī)格一覽(25℃ 典型值)


項(xiàng)目數(shù)值單位備注
VD 引腳耐壓200V直接接次級(jí)整流節(jié)點(diǎn)
MOSFET 擊穿電壓85V內(nèi)置同步管
Rdson14VGS=6.5 V,IDS=0.1 A
關(guān)斷延遲 Td30nsCCM 效率損失極低
VCC 工作范圍5.6 ~ 6.6V自供電,無(wú)需繞組
VCC 啟動(dòng)電壓4.5V僅 150 μA 啟動(dòng)電流
關(guān)斷閾值 VOFF-5mV負(fù)電壓翻轉(zhuǎn)關(guān)斷
開(kāi)通閾值 VON-200mV負(fù)斜率+dV/dt 雙重判定
最小關(guān)斷時(shí)間 TSR1.0μs防止誤觸發(fā)
結(jié)溫范圍-40 ~ 150內(nèi)置 OTP


管腳封裝與功能


SOP-8L 封裝,4 個(gè)有效功率腳 + 4 個(gè)小信號(hào)腳



腳位名稱功能描述
1,2,3GND芯片地,同步 MOSFET 源極
4VD電壓檢測(cè) + 自供電輸入,接次級(jí)繞組
5VCC內(nèi)部 LDO 輸出,外接 1 μF 陶瓷電容
6,7,8D同步 MOSFET 漏極,接輸出正
芯片底部中央有裸露焊盤,建議打 9 個(gè) 0.3 mm 過(guò)孔到 GND,提高散熱。


內(nèi)部框架圖解讀



  1. VD 高壓接口:200 V 耐壓比較器,采樣 Vds 下降斜率;
  2. dV/dt 運(yùn)算單元:專利電路,實(shí)時(shí)計(jì)算 VD 斜率 K,K>Kmin 且 VDS<-0.2 V 時(shí)給出 SR_ON;
  3. 關(guān)斷比較器:當(dāng) VDS > -5 mV 且 Ton > Tb(0.9~1.5 μs)后給出 SR_OFF;
  4. 自供電 LDO:VD 腳經(jīng)內(nèi)部 20 mA 高壓 LDO 給 VCC 電容充電,啟動(dòng)后由 MOSFET 溝道電流維持;
  5. 驅(qū)動(dòng)級(jí):推挽結(jié)構(gòu),柵極充電 1 A / 放電 2 A,典型 13 nC 開(kāi)關(guān)電荷;
  6. 保護(hù)模塊:VCC UVLO、過(guò)壓鉗位 6.5 V、過(guò)溫關(guān)斷 150 ℃。


工作原理:讓“二極管”消失


傳統(tǒng)反激次級(jí)用肖特基,VF ≈ 0.4 V @ 5 A,損耗 2 W;
LP3588CSF 用 MOSFET 替代,Rdson = 14 mΩ,同樣 5 A 僅 0.35 W,效率提升 3~5 個(gè)百分點(diǎn)。

關(guān)鍵時(shí)序


  • t0:原邊關(guān)斷,次級(jí)電流 Is 正向流動(dòng),VDS 負(fù)向跌落;
  • t1:dV/dt > Kmin 且 VDS < -0.2 V → SR_ON,MOSFET 導(dǎo)通;
  • t2:Is 降至 0,VDS 開(kāi)始回彈 > -5 mV → SR_OFF,MOSFET 關(guān)斷;
  • t3:進(jìn)入死區(qū),靠體二極管續(xù)流 < 30 ns,反向恢復(fù)損耗極低。
即使在 CCM 下,30 ns 關(guān)斷延遲也把“反向電流”壓制到最小,避免傳統(tǒng)同步整流“倒灌”問(wèn)題。


典型應(yīng)用電路(12 V/3 A 適配器)



  • 無(wú) RC 吸收,LP3588CSF 自身抗振;
  • 無(wú)輔助繞組,節(jié)省 8 個(gè)元件;
  • 效率 88.4 % @ 115 Vac,85.9 % @ 230 Vac,滿足 CoC V5 Tier 2。


PCB 布線黃金 4 條


  1. 功率回路最短:D 腳 → 輸出電容 → 變壓器次級(jí) → GND,圍成的面積 < 1 cm2;
  2. VD 走線寬 1 mm 以上,遠(yuǎn)離原邊開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn),防止 dV/dt 耦合誤觸發(fā);
  3. VCC 電容接地腳與 GND 腳相鄰 < 2 mm,降低 ESR 噪聲;
  4. 底部散熱焊盤打 9 孔到 GND 內(nèi)層,過(guò)孔直徑 0.3 mm,保證 25 ℃/W 熱阻。


實(shí)測(cè)波形與效率曲線


  • CCM 90 Vac 輸入,3 A 負(fù)載
    – VDS 關(guān)斷到 SR_OFF 延遲 28 ns
    – 無(wú)反向電流,MOSFET 體溫 52 ℃(環(huán)境溫度 25 ℃)

  • 效率對(duì)比
    – 肖特基方案:84.1 %
    – LP3588CSF:88.4 %
    提升 4.3 %,整機(jī)溫升下降 8 ℃



常見(jiàn)疑問(wèn)速答


Q1. 能直接替換肖特基嗎?

→ 引腳兼容,但需把原 RC 吸收去掉,LP3588CSF 自帶抗振。


Q2. 輕載會(huì)“打嗝”嗎?

→ 芯片不干預(yù)原邊,DCM 下自動(dòng)進(jìn)入“零電流”等待,無(wú)異常振蕩。


Q3. 85 V MOSFET 夠嗎?
→ 12 V 輸出時(shí),漏感尖峰 < 60 V,余量 25 V,實(shí)測(cè) 50 萬(wàn)次 264 Vac 浪涌無(wú)損壞。


深圳三佛科技做為芯茂微一級(jí)代理,提供技術(shù)支持,批量?jī)r(jià)格有優(yōu)勢(shì)~


結(jié)語(yǔ)


LP3588CSF 用“一顆芯片 + 1 顆電容”就把次級(jí)整流損耗砍掉 70 %,而且免輔助繞組、免 RC 吸收、免調(diào)試。對(duì)于 15 W~45 W 的 PD 適配器、電機(jī)輔助電源、快充充電器來(lái)說(shuō),它是性價(jià)比最高的同步整流“小鋼炮”。

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